Интересные факты о новом типе оперативной памяти MRAM

Сегодня активно применяется 3 типа оперативной памяти. Производители уже несколько лет работают над созданием более совершенных технологий изготовления модулей ОЗУ для хранения информации. Одним из наиболее перспективных и универсальных решений стала MRAM. Новый тип оперативной памяти еще имеет несколько недочетов, которые предстоит устранить.

Mram новый тип оперативной памяти

Принцип работы

В используемых сегодня типах ОЗУ в каждой ячейке микросхемы находится электрозаряд. Именно его уровень и позволяет определить значение 1 бита информации. Принцип действия MRAM основан на сопротивлении самой ячейки. Главной отличительной чертой новой технологии является метод изменения этого показателя. Для решения поставленной задачи применяется эффект магнитного туннельного перехода.

Mram тип оперативной памяти

Каждая ячейка модуля состоит из 2 рабочих слоев, сделанных из ферромагнитных материалов. Между ними расположены туннельный переход и управляющий транзистор. Первый рабочий слой имеет постоянную намагниченность заданного направления, а второй слой способен изменять свою поляризацию под воздействием магнитного поля.

Если направление намагниченности совпадает, то это принимается за логический «0», а в противном случае — за «1». Управляющий транзистор предназначен для фиксации показателя протекающего через ячейку электротока, позволяя тем самым определить записанное в ней значение.

Преимущества и недостатки

Работы по созданию нового типа памяти ведутся уже довольно давно. Исследователям удалось добиться значительных успехов в этом направлении. Большинство недочетов удалось устранить с помощью усовершенствованной технологии ST-MRAM. В этих модулях поляризация изменяется не с помощью магнитного поля, а благодаря переносу импульса с электрона. Вращающий момент этих частиц передается ферромагнитному слою и изменяет его поляризацию в требуемом направлении.

Mram что это

Особый интерес вызывает технология STT-MRAM. Ее главным отличием от ST-MRAM является плоскость расположения момента электронов относительно поляризованного слоя. Если в модулях ST-MRAM он направлен параллельно, то в STT-MRAM — перпендикулярно. Также стоит отметить и преимущества новой технологии:

  • хорошие технические характеристики, сходные с используемыми сейчас типами ОЗУ;
  • неограниченный период работы;
  • высокая скорость обмена информацией при низком энергопотреблении.

На данный момент именно эта технология является наиболее перспективной. Причем новые модули памяти планируется использовать даже вместо DRAM .

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
IT-Time24.ru
Добавить комментарий

This site is protected by reCAPTCHA and the Google Privacy Policy and Terms of Service apply.

Adblock
detector